本報(bào)訊 6月8日，全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司攻關(guān)團(tuán)隊(duì)牽頭承擔(dān)的國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目《柔性直流輸電裝備壓接型定制化超大功率絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）關(guān)鍵技術(shù)及應(yīng)用》通過工業(yè)和信息化部組織開展的綜合績效評(píng)價(jià)。
該項(xiàng)目攻克了芯片-器件-裝置聯(lián)合仿真與協(xié)同優(yōu)化設(shè)計(jì)、定制化IGBT/FRD芯片設(shè)計(jì)、大規(guī)模芯片壓接并聯(lián)封裝壓力和電流均衡控制、柔性直流裝備用壓接型定制化IGBT長期可靠性等效試驗(yàn)等關(guān)鍵技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了理論方法和關(guān)鍵技術(shù)創(chuàng)新。
團(tuán)隊(duì)自主研制出滿足柔性直流輸電裝備需求的4500伏/3000安低通態(tài)壓降和3300伏/3000安高關(guān)斷能力IGBT器件，性能達(dá)到國際先進(jìn)水平，解決了高壓大容量壓接型IGBT芯片和器件的“卡脖子”問題，為國產(chǎn)高壓大容量壓接型IGBT的規(guī)模化工程應(yīng)用打下了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)，對保障電網(wǎng)安全具有重要意義。
聯(lián)研院攻關(guān)團(tuán)隊(duì)歷時(shí)四年，克服國內(nèi)研究起步晚、高端人才匱乏、高壓工藝平臺(tái)底子薄等困難，突破了國內(nèi)高壓IGBT堅(jiān)固性差、可靠性低等技術(shù)瓶頸，開發(fā)了載流子濃度調(diào)控工藝、三維局域載流子壽命控制、背面高均勻性激光退火等定制化工藝。經(jīng)過多輪迭代設(shè)計(jì)，團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)器件靜態(tài)參數(shù)、動(dòng)態(tài)參數(shù)的綜合性能提升，研制出3300伏IGBT芯片和模塊，打破了國外技術(shù)壟斷。該成果入選國務(wù)院國資委發(fā)布的《中央企業(yè)科技創(chuàng)新成果推薦目錄（2020年版）》。
據(jù)悉，2019年聯(lián)研院以3300伏IGBT芯片和模塊相關(guān)專利與專有技術(shù)為標(biāo)的，通過技術(shù)作價(jià)入股方式與南瑞集團(tuán)成立南瑞聯(lián)研半導(dǎo)體有限責(zé)任公司，共同推動(dòng)3300伏IGBT芯片和模塊的示范應(yīng)用，加快推進(jìn)國產(chǎn)化替代步伐。同時(shí)，國家電網(wǎng)有限公司將IGBT列入新興產(chǎn)業(yè)培育專項(xiàng)，“十四五”期間將推動(dòng)4500伏壓接型IGBT器件的產(chǎn)品化開發(fā)和示范推廣應(yīng)用，為高端核心功率器件的自主化貢獻(xiàn)力量。
評(píng)論